[发明专利]晶体图案形成方法、压电膜制造方法、压电元件制造方法及液体排放头制造方法

说明书

[问题]提供了一种用于在预定位置高精度地形成晶体图案的方法。[解决手段]晶体图案形成方法包括：用于在基板的表面中的一个上形成电磁波吸收层的电磁波吸收层形成处理；用于在电磁波吸收层上形成非晶形膜的非晶形膜形成处理；用于在基板的表面中的另一个上形成用于阻挡电磁波的电磁波阻挡遮罩的遮罩形成处理；以及用于利用电磁波从基板的表面中的另一个、穿过电磁波阻挡遮罩使基板被照射以使非晶形膜中的给定区域结晶的结晶处理。

技术领域

此处的公开大体上涉及晶体图案形成方法，压电膜制造方法，压电元件制造方法，液体排放头制造方法，铁电元件，以及铁电元件制造方法。

背景技术

压电元件具有在电信号和位移或者压力之间转换的特性，并且因此被用于包括传感器，致动器等等的各种装置。例如，PZT被用作压电元件。作为用于形成PZT晶体膜(压电膜)的方法，例如，具有一种方法，用于以溶胶-凝胶方法(CSD方法)，以溅镀方法，或者以CVD方法在基板上形成非晶形PZT膜，并且在电炉中加热非晶形PZT膜例如以使非晶形PZT膜结晶。

然而，在以上述方法制造PZT晶体膜的情形中，不仅非晶形PZT膜被加热，而且整个基板也被加热。为此，需要使用耐热性的基板。此外，在另一个结构或元件也被布置在基板上的情形中，不需要加热处理的另一个部件(例如上述的另一个结构或元件)也被加热。这可能引起由于热应力的热损伤或者在尺寸精确度上的偏差，并且因此可能使性能急剧下降。

因此，代替加热整个基板，用于局部加热给定区域的方法已被提出。例如，用于形成PZT晶体膜的技术被公开，该技术通过在覆盖有白金膜的硅基板上形成非晶形PZT膜，并且使用穿透硅基板的激光束局部加热非晶形PZT膜以使非晶形PZT膜结晶(例如，参见专利文献1)。

[相关的现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]

日本未经审查的专利申请公报No.2014-154581

发明内容

[本发明要解决的问题]

然而，在上述技术中，当压电元件与另一个装置集成在单个基板上时，难以控制通过激光束的扫描位置。此外，由于被激光束扫描的面积取决于激光束的射束尺寸，因此不能灵活地改变扫描面积。因此，在预定位置高精度地形成PZT晶体膜的晶体图案变得困难。

鉴于以上情形，本公开被创作并且具有提供用于在预定位置高精度地形成晶体图案的方法的目标。

[解决问题的手段]

在一个实例中，晶体图案形成方法包括：用于在基板的一个表面上形成电磁波吸收层的电磁波吸收层形成处理；用于在电磁波吸收层上形成非晶形膜的非晶形膜形成处理；用于在基板的另一个表面上形成阻挡电磁波的电磁波阻挡遮罩的遮罩形成处理；以及用于使基板从基板的另一个表面、穿过电磁波阻挡遮罩被电磁波照射，以使非晶形膜中的给定区域结晶的结晶处理。[发明的有益效果]

根据本公开的一个方面，提供用于在预定位置高精度地形成晶体图案的方法。

附图说明

[图1A]图1A是用于说明第一实施例中的晶体图案形成方法的横断面视图。

[图1B]图1B是用于说明第一实施例中的晶体图案形成方法的另一个横断面视图。

[图1C]图1C是用于说明第一实施例中的晶体图案形成方法的进一步的另一个横断面视图。

[图2A]图2A是用于说明第二实施例中的晶体图案形成方法的横断面视图。

[图2B]图2B是用于说明第二实施例中的晶体图案形成方法的另一个横断面视图。