[发明专利]半导体装置

摘要

本发明的目的在于，提供一种能够实现稳定的耐压特性、与断开时的泄漏电流的减小化相伴的低断开损耗化、截止动作的控制性的提高及截止时的切断能力的提高的半导体装置的构造。而且，本发明是IGBT、二极管等纵向型的半导体装置，具有相对于N－漂移层(14)在下表面侧与N－漂移层(14)相邻地形成的N缓冲层(15)，在N缓冲层(15)的缓冲层的主要部分，在从上表面朝向下表面的方向上，通过将深度量设为TB(μm)、将杂质浓度设为CB(cm－3)的位移而导出的浓度梯度δ满足由{0.03≤δ≤0.7}规定的浓度梯度条件。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基体，其具有一个主面及另一个主面，包含第1导电型的漂移层(14)而作为主要结构部；第1导电型的缓冲层(15)，其在所述半导体基体内，相对于所述漂移层在另一个主面侧与所述漂移层相邻地形成；有源层(16、17、18、19)，其形成于所述半导体基体的另一个主面之上，具有第1及第2导电型中的至少一个导电型；第1电极(5E、5A)，其形成于所述半导体基体的一个主面之上；以及第2电极(23C、23K)，其形成于所述有源层之上，在所述缓冲层的主要部分，从一个主面朝向另一个主面的方向上的浓度梯度δ是根据将深度量设为TB(μm)、将杂质浓度设为CB(cm－3)的位移而由下面的式(1)表示的，[算式1]δ=Δlog10CBΔTB...(1)]]>所述浓度梯度δ满足由{0.03≤δ≤0.7}规定的浓度梯度条件。