[发明专利]太阳能电池的制造方法以及太阳能电池在审
| 申请号： | 201580073978.3 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN107210330A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 杉村惠美 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/074 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括在具有受光面(1A)以及背面(1B)的p型单晶硅基板(1)的侧面(1C)选择性地形成氧化膜(10)的工序；在形成有氧化膜(10)的p型单晶硅基板(1)的受光面(1A)形成n型扩散层(3)的工序；以及在形成有n型扩散层(3)的p型单晶硅基板(1)的背面(1B)形成浓度比n型扩散层(3)的浓度高的p型扩散层(8)的工序。通过上述结构，抑制受光面(1A)的损坏、抑制扩散层的切削量、实现光电变换效率的提高，并且防止向端面即侧面(1C)的扩散、抑制来自端部的扩散层的泄漏、实现太阳能电池的良品率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制造方法，包括：在具有第1主面以及第2主面的第1导电型的半导体基板的侧面选择性地形成氧化膜的工序；在形成有所述氧化膜的所述半导体基板的所述第1主面以及第2主面形成第2导电型的杂质扩散层的工序；以及在形成有所述第2导电型的杂质扩散层的所述半导体基板的所述第1主面或者第2主面形成浓度比所述第2导电型的杂质扩散层的浓度高的第1导电型的扩散层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
