[发明专利]太阳能电池的制造方法以及太阳能电池在审
| 申请号： | 201580073978.3 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN107210330A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 杉村惠美 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/074 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 以及 | ||
1.一种太阳能电池的制造方法，包括：
在具有第1主面以及第2主面的第1导电型的半导体基板的侧面选择性地形成氧化膜的工序；
在形成有所述氧化膜的所述半导体基板的所述第1主面以及第2主面形成第2导电型的杂质扩散层的工序；以及
在形成有所述第2导电型的杂质扩散层的所述半导体基板的所述第1主面或者第2主面形成浓度比所述第2导电型的杂质扩散层的浓度高的第1导电型的扩散层的工序。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
形成所述氧化膜的工序是在用其它部件覆盖所述半导体基板的两面的状态下进行热氧化的工序。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
形成所述氧化膜的工序是在用假晶片夹持所述半导体基板的两面的状态下进行热氧化的工序。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
所述假晶片是用与所述半导体基板同一材料形成的半导体基板。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
形成所述氧化膜的工序是在用石英板夹持所述半导体基板的两面的状态下进行热氧化的工序。
6.根据权利要求2所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
形成所述氧化膜的工序是在叠合多张所述半导体基板的状态下进行热氧化的工序。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
形成所述氧化膜的工序包括在粘合多张第1导电型的硅基板的状态下进行热氧化的工序。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，
形成所述氧化膜的工序包括：
在被粘合的所述多张硅基板中的、配置于两端且在第2主面形成有氧化膜的第1导电型的硅晶片的第1主面，形成第2导电型的扩散层的工序；以及
去除所述第2主面的氧化膜，在第2主面形成第1导电型的扩散层，形成太阳能电池的工序。
9.一种太阳能电池，
通过权利要求1至8的太阳能电池的制造方法而制成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
