[发明专利]太阳能电池的制造方法以及太阳能电池

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池的制造方法以及太阳能电池，特别涉及扩散层的形成。

背景技术

太阳能电池是在硅基板等半导体基板内形成pn结并从形成于p层侧的p层侧电极以及形成于n层侧的n层侧电极引出通过pn结处的光电变换生成的电荷的电池。例如，通过对p型单晶硅基板扩散n型杂质，在整个面形成n型扩散层后去除n型扩散层的一部分，以避免与p层侧电极短路。这被称为pn结分离，例如，通过利用专利文献1所公开的等离子体刻蚀去除端面的n型扩散层，能够使p层侧与n层侧分离。通过该方法，使负极的掺杂剂扩散到p型单晶硅基板的两面，形成n型扩散层。此后，叠合多张p型单晶硅基板，使用等离子体刻蚀装置将p型单晶硅基板端面刻蚀去除几微米来进行pn分离。但是，在专利文献1中，在等离子体不稳定时无法均匀地切削，所以有时在刻蚀量少时会产生刻蚀斑并残留p型硅基板端部的n型扩散层，从该区域产生漏电流。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2010－186900号公报

发明内容

如上所述，形成于太阳能电池基板的扩散层形成至基板的端面。如果不去除端面的扩散层就在太阳能电池基板形成电极来制作太阳能电池基板，则引起短路而无法引出电流。因此，为了使扩散层分离，实施利用等离子体的刻蚀来去除形成于端面的扩散层。为了在该端面刻蚀时可靠地进行分离，需要延长等离子体生成时间。因此，多数情况下会对扩散层和受光面进行过度刻蚀。

在通过专利文献1的方法延长等离子体生成时间的情况下，切削量增加。但是来自硅晶片端部的等离子体的蔓延量增加，所以受光面侧的扩散层被切削而导致特性降低。

另外，存在如下问题：在表面存在高度不同的区域时，在被叠合的硅基板之间，在侧面出现间隙，等离子体侵入到间隙内，以致表面的一部分被切削。

本发明是鉴于上述情形而完成的，其目的在于，得到一种能够抑制晶片受光面的损坏、抑制扩散层的切削量、实现光电变换效率的提高并且防止向端部的扩散、抑制来自端部的扩散层的泄漏、实现太阳能电池的良品率提高的太阳能电池的制造方法。

为了解决上述问题，达到本发明的目的，本发明包括：在具有第1主面以及第2主面的第1第2导电型的半导体基板的侧面选择性地形成氧化膜的工序；在形成有氧化膜的半导体基板的第1主面以及第2主面形成第2导电型的杂质扩散层的工序；以及在形成有第2导电型的杂质扩散层的半导体基板的第1主面或者第2主面形成浓度比第2导电型的杂质扩散层的浓度高的第1导电型的扩散层的工序。

根据本发明，起到如下效果：能够抑制晶片受光面的损坏、抑制扩散层的切削量、实现光电变换效率的提高，并且防止向端部的扩散、抑制来自端部的扩散层的泄漏、实现太阳能电池的良品率提高。

附图说明

图1是示出通过表示实施方式1的太阳能电池的制造工序形成的太阳能电池的图

图2是实施方式1的太阳能电池的表面的局部放大剖视图

图3是示出实施方式1的太阳能电池的制造工序的图

图4的(a)至图4的(f)是示出实施方式1的太阳能电池的制造工序的图

图5是示出实施方式1的太阳能电池的制造工序的流程图

图6的(a)至图6的(e)是示出使用在实施方式1中使用的假晶片(Dummy wafer)的太阳能电池的制造工序的图

图7的(a)至图7的(c)是示出实施方式2的太阳能电池的制造工序的图

图8的(a)至图8的(c)是示出实施方式3的太阳能电池的制造工序的图

(符号说明)

1：p型单晶硅基板；1T：纹理；1A：受光面；1B：背面；1C：侧面；D：假晶片；2：磷玻璃层；3：n型扩散层；5：防反射膜；6：银电极；7：铝电极；8：p型扩散层；9：受光面电极；10：氧化膜；20：石英基板。

具体实施方式

以下，根据附图详细说明本发明的太阳能电池的制造方法以及太阳能电池的实施方式。此外，本发明不受该实施方式限定，能够在不脱离其主旨的范围内适当变更。另外，在以下所示的附图中，为便于理解，各层或者各部件的比例尺有时与实际尺寸不同，在各附图之间也是同样的。另外，为了使附图易于观察，即使是俯视图，有时也附加阴影线。

实施方式1.