[发明专利]深紫外LED及其制造方法

摘要

本发明涉及一种深紫外LED，其设计波长设为λ，其特征在于，从基板的相反侧按顺序具有Al反射电极层、极薄膜金属层以及透明p型AlGaN接触层，在所述透明p型AlGaN接触层的厚度方向的范围内具有光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。

主权项

1.一种深紫外LED，其设计波长设为λ，所述深紫外LED的特征在于，从生长基板的相反侧按顺序具有反射电极层、薄膜金属层以及透明p型AlGaN接触层，具有在所述透明p型AlGaN接触层的厚度方向的范围内设置的、具有多个空孔的第一反射型光子晶体周期结构，并且，所述第一反射型光子晶体周期结构具有相对于TE偏振光分量打开的光子带隙，设计波长λ、所述第一反射型光子晶体周期结构的周期a以及平均折射率n_av满足布拉格条件式m×λ/n_av＝2a，并且，布拉格条件的次数m处于2＜m＜5的范围，并且，将所述空孔的半径设为R时，若将光子带隙达到最大时为R/a、且将所述空孔的深度设为h，则满足h≥2/3a。