[发明专利]反向传导半导体装置

摘要

一种具有有源单元区域（10）和端接区域（12）的反向传导MOS装置（1）被提供。在第一和第二主侧（20、25）之间。有源单元区域（10）包括带有第二传导性类型的基极层（4）的多个MOS单元（11）。在第一主侧（20）上，具有与基极层（4）相比更高的最大掺杂浓度的第二传导性类型的条（8）被布置在有源单元区域（10）和端接区域（12）之间，其中条（8）被电连接到第一主电极（2）。在端接区域（12）中的第一主侧（20）上，第二传导性类型的可变横向掺杂层（7）被布置。第二传导性类型的保护层（9）被布置在可变横向掺杂层（7）中，所述保护层（9）具有与附连于保护层（9）的区域中的可变横向掺杂层的最大掺杂浓度相比更高的最大掺杂浓度。

主权项

一种具有第一主侧（20）上的第一主电极（2）和与所述第一主侧（20）相对的第二主侧（27）上的第二主电极（25）的反向传导MOS装置（1），所述装置具有活动单元区域（10）和横向围绕所述活动单元区域（10）直到所述装置的边缘（14）的端接区域（12），其中所述活动单元区域（10）包括多个MOS单元（11），所述MOS单元（11）中的每个包括所述第一主和第二主侧（20、27）之间的第一传导性类型的源层（3）、与所述第一传导性类型不同的第二传导性类型的基极层（4）、所述第一传导性类型的漂移层（5）和与所述漂移层（5）相比被更高掺杂的所述第一传导性类型的第一层（50），其中在每个MOS单元（11）中，栅极电极（6）被布置在所述第一主侧（20）上，其中在所述第一主侧（20）上，具有与所述基极层（4）相比更高的最大掺杂浓度的所述第二传导性类型的条（8）被布置在所述活动单元区域（10）和所述端接区域（12）之间，并在平行于所述第一主侧（20）的平面中包围所述活动单元区域（10），其中所述条（8）被电连接到所述第一主电极（2），其特征在于，其中在所述端接区域（12）中的所述第一主侧（20）上，所述第二传导性类型的可变横向掺杂层（7）被布置，其中对于所述可变横向掺杂层中的所有深度，所述掺杂浓度朝所述装置的所述边缘（14）减少，所述可变横向掺杂层（7）被连接到所述条（8），在所述第一主侧（20）上，所述第二传导性类型的保护层（9）被布置在所述可变横向掺杂层（7）中，所述保护层（9）具有与附连于所述保护层（9）的区域中的所述可变横向掺杂层的所述最大掺杂浓度相比更高的最大掺杂浓度。