[发明专利]用于离子注入的组合静电透镜系统有效
| 申请号： | 201580070493.9 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN107112181B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·C·艾伊斯勒;伯·范德伯格 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分类号： | H01J37/20 | 分类号： | H01J37/20;H01J37/12;H01J37/05;H01J37/147;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 刘新宇;寿宁 |
| 地址： | 美国马萨诸*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出用于以低能量将离子注入工件内的系统及方法。提供配置成生成离子束的离子源，其中，质量解析磁体被配置成质量解析该离子束。离子束可以是带状射束或经扫描的点状离子束。定位于质量解析磁体下游的质量解析孔径过滤离子束中的不良粒种。组合静电透镜系统被定位于质量分析器的下游，其中，使离子束的路径偏转并且大体上滤除离子束中的污染物，同时使离子束减速并平行化。工件固持与平移系统进一步被定位于组合静电透镜系统的下游并被配置成选择性使工件在一个或多个方向上平移通过离子束，在其中将离子注入工件内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子 注入 组合 静电透镜 系统 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入系统，其包括：离子源与引出组件，其被配置成生成离子束；质量分析磁体组件，其被配置成质量解析所述离子束；质量解析孔径，其被定位于所述质量分析磁体组件的下游，其中，所述质量解析孔径被配置成过滤所述离子束中的不良粒种，并且，所述离子束大体上在穿过所述质量解析孔径之后发散；组合静电透镜系统，其被定位于所述质量分析磁体组件的下游，其中，所述离子束的路径被偏转并且所述离子束中的污染物被大体上滤除，同时使所述离子束减速并平行化；多个电极，其包括顶部终端抑制电极和底部终端抑制电极，其中，所述顶部终端抑制电极的下游边缘的曲率不同于所述底部终端抑制电极的下游边缘的曲率；以及工件固持与平移系统，其被定位于所述组合静电透镜系统的下游并被配置成选择性使工件在一个或多个方向上平移通过所述离子束。
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