[发明专利]半导体装置、其制造方法、及具备半导体装置的显示装置有效
| 申请号： | 201580067781.9 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN107112364B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 松木薗広志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;G09F9/30;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/08 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供在半导体层形成的低电阻区域与栅极电极之间难以形成寄生电容的顶栅极型结构的半导体装置、其制造方法、及具备半导体装置的显示装置。从TFT(100)的低电阻区域之中对应于栅极绝缘膜的端部的第一位置(P1)朝向栅极电极(40)的下方延伸的低电阻区域的第一长度(L1)、与从第一位置(P1)到达对应于栅极电极(40)的端部的第二位置(P2)的第二长度(L2)大致相等。由此，因为降低源极区域(20s)及漏极区域(20d)与栅极电极(40)的重叠，所以寄生电容可以变小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 具备 显示装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：半导体层，形成在绝缘基板上；栅极绝缘膜，侧面呈锥状的形状且形成在所述半导体层上；栅极电极，侧面呈锥状的形状且形成在所述栅极绝缘膜上；源极区域及漏极区域，隔着所述栅极电极分别形成在所述半导体层的两侧；氮化硅膜，形成在所述半导体层的源极区域及漏极区域上；以及源极电极层及漏极电极层，与所述源极区域及所述漏极区域分别欧姆接触；所述半导体装置，其特征在于，所述源极区域及所述漏极区域，由通过在所述氮化硅膜所含有的氢还原形成的低电阻区域构成；从所述低电阻区域之中对应于所述栅极绝缘膜的端部的所述半导体层上的第一位置朝向所述栅极电极的下方延伸的所述低电阻区域的第一长度、与从所述第一位置到达对应于所述栅极电极的端部的所述半导体层上的第二位置的第二长度大致相等。
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