[发明专利]用于制造宽带隙结势垒肖特基二极管的方法

摘要

提供了一种用于制造具有阳极侧(10)和阴极侧(15)的宽带隙结势垒肖特基二极管(1)的方法，其中(n+)掺杂的阴极层(2)布置在阴极侧(15)上，至少一个p掺杂的阳极层(3)布置在阳极侧(10)上，(n‑)掺杂的漂移层(4)布置在阴极层(2)和该至少一个阳极层(3)之间，该漂移层(4)延伸至阳极侧(10)，其中执行以下制造步骤：a)提供(n+)掺杂的宽带隙基底(100)，b)在阴极层(2)上产生漂移层(4)，c)在漂移层(4)上产生该至少一个阳极层(3)，d)在阳极侧(10)上将第一金属层(5)施加到漂移层(4)的顶部上以形成肖特基接触(55)，其特征在于，e)在至少一个阳极层(3)的顶部上产生第二金属层(6)，其中在产生第一金属层(5)和第二金属层(6)之后，该至少一个阳极层(3)的顶部上的金属层具有第二厚度(64)，且漂移层(4)的顶部上的金属层具有第一厚度(54)，其中第二厚度(64)小于第一厚度(54)，f)然后在第一温度下执行第一加热步骤(63)，由此，由于第二厚度(64)小于第一厚度(54)，故在第二金属层(6)和该至少一个阳极层(3)之间的界面处形成欧姆接触(65)，其中执行第一加热步骤(63)，使得第一金属层(5)下方的温度保持低于用于形成欧姆接触的温度。

主权项

一种用于制造具有阳极侧(10)和与所述阳极侧(10)相对的阴极侧(15)的宽带隙结势垒肖特基二极管(1)的方法，其中第一导电性类型的阴极层(2)布置在所述阴极侧(15)上，与所述第一导电性类型不同的第二导电性类型的至少一个阳极层(3)布置在所述阳极侧(10)上，所述第一导电性类型的漂移层(4)布置在所述阴极层(2)和所述至少一个阳极层(3)之间，所述漂移层(4)延伸至所述阳极侧(10)，其中执行以下制造步骤：a)提供宽带隙基底(100)，其形成成品二极管(1)中的阴极层(2)，b)在所述阴极层(2)的与所述阴极侧(15)相对的侧上产生所述漂移层(4)，c)在所述阳极侧(10)上在所述漂移层(4)上产生所述至少一个阳极层(3)，d)在所述阳极侧(10)上将具有第一金属层厚度(52)的第一金属层(5)施加到所述漂移层(4)的顶部上以形成肖特基接触(55)，所述第一金属层(5)接触所述漂移层(4)，其特征在于，e)在至少一个阳极层(3)的顶部上产生具有第二金属层厚度(62)的第二金属层(6)，其中在产生所述第一金属层(5)和所述第二金属层(6)之后，所述至少一个阳极层(3)的顶部上的金属层具有第二厚度(64)，且所述漂移层(4)的顶部上的金属层具有第一厚度(54)，其中所述第二厚度(64)小于所述第一厚度(54)，f)然后在第一温度下执行第一加热步骤(63)，由此，由于所述第二厚度(64)小于所述第一厚度(54)，故在所述第二金属层(6)以及第二金属层(6)施加到其上的所述至少一个阳极层(3)之间的界面处形成欧姆接触(65)，其中执行所述第一加热步骤(63)，使得所述第一金属层(5)下方的温度保持低于用于形成欧姆接触的温度。