[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201580066372.7 申请日: 2015-07-22
公开(公告)号: CN107004715A 公开(公告)日: 2017-08-01
发明(设计)人: 斋藤顺;小野木淳士;青井佐智子;宫原真一朗 申请(专利权)人: 丰田自动车株式会社
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 王兆阳,苏卉
地址: 日本爱知*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置(1)具备形成有半导体元件的半导体基板(2)和形成在半导体基板(2)上的被覆绝缘膜(31)。半导体基板(2)具备第一部分(10)和厚度比第一部分(10)薄的第二部分(20)。在第一部分(10)与第二部分(20)相邻的部分形成有台阶部(90)。在台阶部(90)的侧面与第二部分(20)的上表面之间的角部(40)形成有角部件(50)。角部件(50)的上表面(51)随着从台阶部(90)的侧面(92)朝向第二部分(20)侧而向下方下降。被覆绝缘膜(31)从第一部分(10)延伸至第二部分(20),并覆盖角部件(50)。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,具备:形成有半导体元件的半导体基板;及形成在所述半导体基板之上的被覆绝缘膜,所述半导体基板具备第一部分和厚度比所述第一部分薄的第二部分,在所述第一部分与所述第二部分相邻的部分形成有台阶部,在所述台阶部的侧面与所述第二部分的上表面之间的角部形成有角部件,所述角部件的上表面随着从所述台阶部的侧面朝向所述第二部分侧而向下方下降,所述被覆绝缘膜从所述第一部分延伸至所述第二部分,并覆盖所述角部件。
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