[发明专利]晶片支承台、化学气相生长装置、外延晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201580065143.3 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN107004583B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 武藤大祐;乘松润 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/42;C23C16/458;C23C16/52;C30B25/12;C30B29/36;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供能够高效且充分地减少外延冠的制造装置。本发明的晶片支承台是被用于采用化学气相生长法在晶片的主面上使外延膜生长的化学气相生长装置中的晶片支承台，所述晶片支承台具有在其上面能载置基板的晶片载置面、和以包围所载置的晶片的周围的方式立起的晶片支承部，从所述晶片支承部的顶部到被载置于所述晶片载置面上的晶片的主面的高度为1mm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 支承 化学 相生 装置 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片支承台，被用于采用化学气相生长法在晶片的主面上使外延膜生长的化学气相生长装置中，其特征在于，所述晶片支承台具有在其上面能载置基板的晶片载置面、和以包围所载置的晶片的周围的方式立起的晶片支承部，从所述晶片支承部的反应空间侧的上表面的距晶片载置面最远的部分到被载置于所述晶片载置面上的晶片的主面的高度为1mm以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
