[发明专利]使用有金属氧化物微粒作为变色层的等离子体处理检测指示器有效
| 申请号： | 201580063223.5 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107078053B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 菱川敬太;采山和弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社樱花彩色笔 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C14/22;C23C14/52;C23C16/44;C23C16/50;H01L21/3065;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体处理检测指示器，其具有通过等离子体处理而变色的变色层，且可将因等离子体处理所导致的变色层气体化或形成微细碎屑而飞散的问题，抑制到不影响电子设备特性的程度，并且，具有良好的耐热性。具体而言，本发明提供一种等离子体处理检测指示器，其具有通过等离子体处理而变色的变色层，其特征在于，所述变色层含有金属氧化物微粒，所述金属氧化物微粒含有选自由Mo、W、Sn、V、Ce、Te及Bi组成的组中的至少一种元素，且平均粒径为50μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 金属 氧化物 微粒 作为 变色 等离子体 处理 检测 指示器 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理检测指示器，其具有通过等离子体处理而变色的变色层，其中，所述变色层含有金属氧化物微粒，所述金属氧化物微粒含有选自由Mo、W、Sn、V、Ce、Te及Bi组成的组中的至少一种元素，且平均粒径为50μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
