[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201580060595.2 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN107004743B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 十川博行;杉山正和;M·玛尼施 | 申请（专利权）人： | 斯坦雷电气株式会社;国立大学法人东京大学 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;杨薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括：第一半导体层，该第一半导体层具有第一导电类型；发光功能层，该发光功能层包括形成在所述第一半导体层上的发光层；以及第二半导体层，该第二半导体层形成在所述发光功能层上并且具有与所述第一半导体层相反的导电类型。所述发光层包括：基底层，该基底层具有从所述第一半导体层经受应力应变的这种组分，并且具有形成为像随机网格的多个基底区段；以及量子阱结构层，该量子阱结构层由至少一个量子阱层和至少一个势垒层组成，所述至少一个量子阱层以嵌入所述基底层的方式形成。所述基底层具有多个子基底层，所述多个子基底层由具有相互不同的Al组分的AlGaN构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，所述半导体发光元件包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型；发光功能层，所述发光功能层形成在所述第一半导体层上，并且包括发光层；以及第二半导体层，所述第二半导体层形成在所述发光功能层上，并且具有与所述第一半导体层的导电类型相反的导电类型，其中所述发光层具有：基底层，所述基底层具有从所述第一半导体层受到应力应变的组分，并且具有被多个组合凹槽分割成随机网状的多个基底区段，所述多个基底区段具有随机尺寸；以及量子阱结构层，所述量子阱结构层嵌入所述基底层而形成，并且由至少一个量子阱层和至少一个势垒层构成，并且所述基底层具有由具有不同Al组分的AlGaN构成的多个子基底层。
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