[发明专利]IO功率总线网格结构设计有效
| 申请号： | 201580060178.8 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN107078121B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | R·V·辛格瓦;R·T·谢蒂 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/488 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李小芳;袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种MOS器件包括IO焊盘环。该MOS器件包括位于IO焊盘环的第一侧上的第一IO焊盘以及位于IO焊盘环的第二侧上的第二IO焊盘。第一IO焊盘包括在第一方向上延伸的金属x层功率互连。第一金属x层功率互连是金属x层的功率互连。第二侧与第一侧呈90°。第二IO焊盘包括在第一方向上延伸的第二金属x层功率互连。第二金属x层功率互连是金属x层的功率互连。第二IO焊盘还可包括与第二IO焊盘的第二金属x层功率互连正交地延伸的金属x+1层功率互连或金属x‑1层功率互连中的至少一者。 | ||
| 搜索关键词： | io 功率 总线 网格 结构设计 | ||
【主权项】：
1.一种包括输入/输出(IO)焊盘环的金属氧化物半导体(MOS)器件，所述IO焊盘环位于所述MOS器件的核心与所述MOS器件的外部引脚之间，所述MOS器件包括：/n第一IO焊盘，所述第一IO焊盘被配置成在所述MOS器件的所述核心与所述外部引脚之间传送信号并且位于所述IO焊盘环的第一侧上，所述第一IO焊盘包括第一功率网格，所述第一功率网格包括在第一方向上延伸的第一金属x层功率互连，所述第一金属x层功率互连是金属x层的功率互连；以及/n第二IO焊盘，所述第二IO焊盘被配置成在所述MOS器件的所述核心与所述外部引脚之间传送信号并且位于所述IO焊盘环的第二侧上，所述第二侧与所述第一侧呈90°，所述第二IO焊盘包括第二功率网格，所述第二功率网格包括在所述第一方向上延伸的第二金属x层功率互连，所述第二金属x层功率互连是所述金属x层的功率互连，/n其中所述IO焊盘环的第一侧上的所述第一IO焊盘的所述第一功率网格中的所述金属x层上的所述第一金属x层功率互连平行于与所述IO焊盘环的第一侧呈90°的所述IO焊盘环的第二侧上的所述第二IO焊盘的所述第二功率网格中的相同金属x层上的所述第二金属x层功率互连。/n
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