[发明专利]半导体装置、液晶显示装置和半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201580056327.3 申请日: 2015-08-31
公开(公告)号: CN107078165B 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 加藤纯男;上田直树 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;G02F1/1343;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/336
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;杨艺
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置包括:包含栅极电极的第一金属层;设置在第一金属层上的第一绝缘层;设置在第一绝缘层上的氧化物半导体层;设置在氧化物半导体层上的第二绝缘层;设置在氧化物半导体层和第二绝缘层上且包含源极电极的第二金属层;设置在第二金属层上的第三绝缘层;和设置在第三绝缘层上的第一透明电极层。氧化物半导体层具有与栅极电极重叠的第一部分和从第一部分起横穿栅极电极的漏极电极侧的边缘地延伸设置的第二部分。第三绝缘层不包含有机绝缘层,在第二绝缘层和第三绝缘层中,形成有在从基板的法线方向看时与氧化物半导体层的第二部分重叠的第一接触孔。第一透明电极层包含在第一接触孔内与氧化物半导体层的第二部分接触的透明导电层。
搜索关键词: 半导体 装置 液晶 显示装置 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其包括基板和由所述基板支承的薄膜晶体管,该半导体装置的特征在于,包括:包含所述薄膜晶体管的栅极电极、源极电极和漏极电极中的所述栅极电极的第一金属层;设置在所述第一金属层上的第一绝缘层;设置在所述第一绝缘层上且包含所述薄膜晶体管的有源层的氧化物半导体层;设置在所述氧化物半导体层上且包含覆盖所述氧化物半导体层的沟道区域的部分的第二绝缘层;设置在所述氧化物半导体层和所述第二绝缘层上且至少包含所述源极电极的第二金属层;设置在所述第二金属层上的第三绝缘层;和设置在所述第三绝缘层上的第一透明电极层,所述氧化物半导体层具有与所述栅极电极重叠的第一部分和从所述第一部分起横穿所述栅极电极的所述漏极电极侧的边缘地延伸设置的第二部分,所述第三绝缘层不包含有机绝缘层,在所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中,形成有在从所述基板的法线方向看时与所述氧化物半导体层的所述第二部分重叠的第一接触孔,所述第一透明电极层包含在所述第一接触孔内与所述氧化物半导体层的所述第二部分接触的透明导电层。
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