[发明专利]非易失性存储器装置及其存储方法和编程方法有效
| 申请号： | 201580055511.6 | 申请日： | 2015-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN106796548B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 许富菖 | 申请（专利权）人： | NEO半导体公司 |
| 主分类号： | G06F12/06 | 分类号： | G06F12/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;杨薇 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 非易失性存储器装置及其存储方法和编程方法。公开一种利用多页编程在非易失性存储器装置中存储信息或数据的方法。该方法在一个方面能够激活第一漏极选择栅(“DSG”)信号。在响应于第一漏极选择栅信号的激活在第一时钟周期期间从位线(“BL”)加载第一数据至第一存储器块的非易失性存储器页之后，第一DSG信号被解激活。在激活第二DSG信号时，从BL加载第二数据至第二存储器块的非易失性存储器页。第一数据和第二数据被同时分别写入第一存储器块和第二存储器块。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 及其 存储 方法 编程 | ||
【主权项】：
一种将信息储存于非易失性存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：在第一时钟周期期间激活第一漏极选择栅DSG信号；响应于第一DSG信号的激活，从位线BL加载第一数据至第一存储器块的非易失性存储器页；在第二时钟周期期间解激活所述第一DSG信号并且激活第二DSG信号；响应于该第二DSG信号的激活，从该BL加载第二数据至第二存储器块的非易失性存储器页；以及在第三时钟周期期间将该第一数据写入该第一存储器块的该非易失性存储器页中的非易失性存储器单元，该非易失性存储器单元由馈入该第一存储器块的第一组字线WL中的一条WL寻址。
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