[发明专利]非易失性存储器装置及其存储方法和编程方法

权利要求书

1.一种将信息存储于非易失性存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

通过将与关于所述非易失性存储器装置的多个存储器块的多个单元串相关联的位线设置成禁止电压电平来将所述多个单元串预设为禁止状态，然后对与所述多个单元串相关联的多个漏极选择栅施加脉冲，以将所述禁止电压电平传递至所述多个单元串；

将针对所述多个存储器块中的每一个存储器块所选择的字线调升至编程电压电平；

将所述多个存储器块的未选择的字线调升至通过电压电平；以及

在从第一编程操作至最后编程操作维持所述字线的电压电平的同时，重复多个编程操作，其中，所述多个编程操作对两个或更多个存储器块编程，并且其中，每个编程操作包括：对所选择的位线施加数据；以及对与所选择的存储器块相关联的漏极选择栅施加脉冲，以将所选择的位线上的所述数据加载到所选择的存储器块。

2.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

对所述位线施加附加数据；以及

对与下一选择的存储器块相关联的漏极选择栅施加脉冲，以将所述位线上的所述附加数据加载到所述下一选择的存储器块。

3.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

针对一个或更多个附加存储器块中的每一个重复施加数据的操作和施加脉冲的操作，直到所述多个存储器块已被加载为止。

4.如权利要求3所述的方法，其中，当所述重复的操作完成时，对所述多个存储器块同时编程。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述预设的操作包括：

对所述多个存储器块的所有位线施加VDD；以及

对所述多个存储器块的所有漏极选择栅施加VDD。

6.如权利要求1所述的方法，其中，调升所选择的字线的操作和调升未选择的字线的操作是一起执行的。

7.如权利要求1所述的方法，其中，施加脉冲的步骤包括：

将所述漏极选择栅上的电压电平增加至Vdd；以及

在所选择的时间间隔过去之后，将所述漏极选择栅上的电压电平减小至Vss。

8.如权利要求1所述的方法，其中，每个存储器块包括具有多个NAND非易失性存储器单元的单元串。

9.一种非易失性存储器装置，该非易失性存储器装置包括：

组织成多个存储器块的闪速存储器单元阵列，其中，所述多个存储器块中的每个存储器块还排列成具有多个单元串的多个页；以及

多个块解码器，所述多个块解码器联接至所述多个存储器块，并且其中，所述多个块解码器执行以下操作：

通过将与关于所述非易失性存储器装置的多个存储器块的多个单元串相关联的位线设置成禁止电压电平来将所述多个单元串预设为禁止状态，然后对与所述多个单元串相关联的多个漏极选择栅施加脉冲，以将所述禁止电压电平传递至所述多个单元串；

将所述多个存储器块的所选择的字线调升至编程电压电平；

将所述多个存储器块的未选择的字线调升至通过电压电平；

将所选择的数据施加至所选择的位线；

对与所选择的存储器块相关联的漏极选择栅施加脉冲，以将所选择的位线上的所述数据加载到所选择的存储器块；并且

在从第一编程操作至最后编程操作维持所述字线的电压电平的同时，重复施加脉冲的操作，以对多个存储器块编程。

10.如权利要求9所述的非易失性存储器装置，其中，所述多个块解码器执行以下操作：

对所述位线施加附加数据；并且

对与下一选择的存储器块相关联的漏极选择栅施加脉冲，以将所述位线上的所述附加数据加载到所述下一选择的存储器块。

11.如权利要求9所述的非易失性存储器装置，其中，所述多个块解码器针对一个或更多个附加存储器块中的每一个重复施加数据的操作和施加脉冲的操作，直到所述多个存储器块已被加载为止。