[发明专利]电子电路在审
| 申请号： | 201580052318.7 | 申请日： | 2015-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN107078161A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | M·艾曼·谢比卜;文杰·张 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,娄晓丹 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 垂直沟槽MOSFET中的垂直检测器件。根据本发明的实施例，电子电路包括配置为切换至少1安培电流的垂直沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管以及配置为提供MOSFET的漏极到源极电流的指示的电流检测场效应晶体管。电流检测FET的电流检测比为至少15000并且可以大于29000。 | ||
| 搜索关键词： | 电子电路 | ||
【主权项】：
一种电子电路，包括：垂直沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，配置为控制至少1安培的电流；以及电流检测FET，配置为提供电信号作为所述MOSFET的漏极到源极电流的指示，其中，所述电流检测FET的电流检测比大于15000。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于维西埃-硅化物公司，未经维西埃-硅化物公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580052318.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
