[发明专利]利用注入的可流动膜性质调谐在审
| 申请号： | 201580048959.5 | 申请日： | 2015-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN106716599A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 怡利·Y·叶;卢多维克·戈代;薛君;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;李冬青;埃莉卡·陈 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国,赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将物种供应到在基板上的可流动层。通过将所述物种注入到所述可流动层来修改所述可流动层的性质。所述性质包含密度、应力、薄膜收缩率、蚀刻选择性或上述的任意组合。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 注入 流动 性质 调谐 | ||
【主权项】：
一种制造电子器件的方法，所述方法包含以下步骤：供应物种到在基板上的可流动层；以及通过将所述物种注入到所述可流动层来调整所述可流动层的性质，其中所述性质包含密度、应力、薄膜收缩率、蚀刻选择性或上述任意组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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