[发明专利]使用闪光灯的退火方法在审
申请号: | 201580048670.3 | 申请日: | 2015-08-20 |
公开(公告)号: | CN106605290A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | L.卡诺瓦;E.米蒙;B.迪博 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/268;H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 黄念 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用于载有涂层的基材的表面退火的方法,所述方法包括‑使载有待退火涂层(2)的基材(1)在闪光灯(4)下方行进,基材(1)的载有所述涂层(2)的面朝向闪光灯(4);‑穿过位于在所述闪光灯和待退火涂层之间的并包括狭缝的掩模(3),用由所述闪光灯(4)发射的强脉冲光照射该待退火涂层,该狭缝具有垂直于基材的行进方向的纵轴,调节闪光灯的频率和基材的行进速度,使得待退火涂层的每个点接收至少一个光脉冲;其特征在于在掩模的下表面与待退火涂层的表面之间的距离最多等于1mm,并且狭缝的形状和大小使得该掩模在所有其中在没有掩模的情况下将到达待退火涂层位置的光强度低于阈值光强度(在后文称为“标称光强度”)的区域中遮挡待退火涂层,阈值光强度在后文被称为“标称光强度”。 | ||
搜索关键词: | 使用 闪光灯 退火 方法 | ||
【主权项】:
一种用于载有涂层的基材的表面退火的方法,所述方法包括:‑使载有待退火涂层(2)的基材(1)在发射强脉冲光的闪光灯(4)下方行进,基材的载有所述涂层的面朝向闪光灯;‑穿过位于在所述闪光灯和待退火涂层之间、在相对于所述闪光灯的固定位置的并包括狭缝的掩模(3),用由所述闪光灯发射的强脉冲光照射该待退火涂层,该狭缝的纵轴垂直于基材的行进方向,调节闪光灯的频率和基材的行进速度,使得待退火涂层的每个点接收至少一个光脉冲;其特征在于:在掩模的下表面与待退火涂层的表面之间的距离最多等于1mm,优选最多等于500μm,理想地最多等于100μm,并且狭缝的形状和大小使得该掩模在所有其中在没有掩模的情况下光强度将到达待退火涂层位置的光强度低于阈值光强度的区域中遮挡该待退火涂层,该阈值光强度在后面被称为“标称光强度”。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造