[发明专利]采用使用延长通孔的金属线局部互连的中段制程(MOL)制造的集成电路(IC)及相关方法有效
| 申请号： | 201580048484.X | 申请日： | 2015-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106716631B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | J·J·朱;K·利姆;S·S·宋;J·J·徐;D·杨 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 段登新;李小芳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了采用使用延长通孔的金属线局部互连的中段制程(MOL)制造的集成电路(IC)。还公开了相关的方法。具体而言，金属层中的不同金属线可能需要在IC的MOL工艺期间被电互连。关于此，为了允许金属线被电互连而无需在金属线上方提供可能难以在例如印刷工艺中提供的此类互连，在一示例性方面中，延长或展开的通孔被提供在IC中的MOL层中。延长通孔被提供在MOL层中在该MOL层中的金属层下方并跨该MOL层的金属层中的两个或更多个毗邻金属层延伸。将互连移动到MOL层上方可简化IC的制造，特别是在低纳米(nm)节点尺寸下。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 使用 延长 金属线 局部 互连 中段 mol 制造 集成电路 ic 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路(IC)，包括：基板；置于所述基板上方的中段制程(MOL)层；置于所述MOL层上方的金属互连层，所述金属互连层包括第一金属导电元件和第二金属导电元件；以及置于所述金属互连层和所述MOL层之间的延长通孔，所述延长通孔被置于与所述第一金属导电元件和所述第二金属导电元件接触以将所述第一金属导电元件与所述第二金属导电元件互连。
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