[发明专利]与解耦电容器结合的来自第二级中部制程层的电容器在审
| 申请号： | 201580048201.1 | 申请日： | 2015-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN106688095A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | J·J·朱;S·S·宋;K·利姆;Z·王;J·J·徐 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L29/92 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 袁逸;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在诸中部制程(MOL)层内的器件电容器结构包括第一MOL互连层。第一MOL互连层可包括在半导体基板的有源表面上的一组虚设栅极触点之间的有源触点。该器件电容器结构还包括第二MOL互连层。第二MOL互连层可包括直接位于这些有源触点中暴露的各个有源触点上的一组堆叠式触点。第二MOL互连层还可包括在一些有源触点上的蚀刻停止层部分上的一组飞越(fly‑over)触点。这些飞越触点和这些堆叠式触点可提供一组器件电容器的端子。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 结合 来自 第二级 中部 制程层 | ||
【主权项】：
一种在诸中部制程(MOL)层内的器件电容器结构，包括：第一MOL层，其包括在半导体基板的有源表面上的多个虚设栅极触点之间的有源触点；以及第二MOL层，其包括直接位于所述有源触点中暴露的各个有源触点上的多个堆叠式触点、以及在一些所述有源触点上的蚀刻停止层部分上的多个飞越触点，所述飞越触点和所述堆叠式触点提供多个器件电容器的端子。
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