[发明专利]单晶硅的制造方法有效
| 申请号： | 201580046213.0 | 申请日： | 2015-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN106715766B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 安村健;橘昇二 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于开发一种通过含有碳来抑制结晶缺陷的单晶硅的制造方法，采用该方法，碳容易地向硅融液的混合、熔解。本发明的单晶硅的制造方法是从收纳在坩锅内的硅融液中拉制出单晶硅的同时使其成长的单晶硅体的制造方法，使用利用西门子法制造出的多晶硅棒中的位于棒末端的与碳制芯线保持部件之间的接触附近部的破碎物，来作为该硅原料的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅的制造方法，在该单晶硅的制造方法中，对收纳在坩锅中的硅原料进行加热使其成为硅融液，一边用该硅融液拉制出单晶硅棒一边使该单晶硅棒成长，该单晶硅的制造方法的特征在于，使用利用西门子法制造出的多晶硅棒中的、位于棒末端的与碳制芯线保持部件之间的接触附近部的破碎物来作为该硅原料的至少一部分，所述破碎物的碳浓度为0.04ppma～2.8ppma，作为所述破碎物，使用通过如下方式制造出的破碎物，即，从自多晶硅棒切出的棒末端部，将埋入所述棒末端部的碳制芯线保持部件与环绕该碳制芯线保持部件的多晶硅一起取芯，对得到的棒末端部中空体进行破碎。
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