[发明专利]利用醇选择性还原和保护的选择性沉积有效
| 申请号： | 201580043803.8 | 申请日： | 2015-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106663614B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 刘风全;马伯方;艾华;吕疆;张镁;戴维·汤普森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/768;H01L21/02;H01L21/3105;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种选择性沉积方法，其相对于电介质表面来将金属选择性地沉积在金属表面。所述方法包括下述步骤：将金属氧化物表面还原成金属表面；和保护电介质表面以最小化所述电介质表面上的沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 选择性 还原 保护 沉积 | ||
【主权项】：
一种沉积膜的方法，所述方法包含：提供基板，所述基板包含包括金属氧化物的第1基板表面和包括电介质的第2基板表面；将所述基板暴露在醇类中而将所述金属氧化物还原成第1金属并形成烷氧基封端的电介质表面；以及将所述基板暴露在一种或多种沉积气体中以越过所述烷氧基封端的电介质表面选择性地在所述第1金属上沉积第2金属膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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