[发明专利]基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置在审
申请号: | 201580041687.6 | 申请日: | 2015-08-28 |
公开(公告)号: | CN106575618A | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 郑光逸;李炳垂;柳柱馨 | 申请(专利权)人: | 杰宜斯科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/32 | 分类号: | H01L21/32;H01L21/02;H01L21/683 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及为了处理基板而加热基板的基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,包括加热器部,形成为具有大于基板的处理面大小的相对面而加热基板;及灯部,具备彼此相邻地布置于加热器部的相对面的多个灯单元。本发明的效果在于,使加热器部的相对面形成为大于基板的处理面大小,使多个灯单元彼此相邻地布置于相对面,均匀地维持基板的处理面上的加热温度,能够防止对基板处理面的不均匀的处理,能够提高基板的处理效率。 | ||
搜索关键词: | 处理 加热 装置 具备 基板液 | ||
【主权项】:
一种基板处理用加热装置,作为为了基板的处理而加热基板的加热装置,其特征在于,包括:加热器部,用于加热基板;及灯部,具备彼此相邻地布置于所述加热器部的多个灯单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杰宜斯科技有限公司,未经杰宜斯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580041687.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种制作半导体器件的方法-201310451411.8
- 舒强;郝静安 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 2013-09-27 - 2018-07-20 - H01L21/32
- 本发明涉及一种制作半导体器件的方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成前置层;在所述前置层上依次形成薄氧化物层和高蚀刻率底部抗反射涂层;在所述高蚀刻率底部抗反射涂层上形成图案化的光刻胶层;根据所述图案化的光刻胶层刻蚀所述高蚀刻率底部抗反射涂层,以形成露出所述薄氧化物层的开口;去除所述图案化的光刻胶层;去除露出的所述薄氧化物层。在本发明的半导体器件的制作工艺中,使用高蚀刻率底部抗反射涂层和薄氧化物层形成在基底上,解决了在进行注入光刻工艺时基底的反射的问题,以及避免了对前置层和基底损伤的问题,以提高器件的性能。
- 基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置-201580041687.6
- 郑光逸;李炳垂;柳柱馨 - 杰宜斯科技有限公司
- 2015-08-28 - 2017-04-19 - H01L21/32
- 本发明涉及为了处理基板而加热基板的基板处理用加热装置及具备此的基板液处理装置,包括加热器部,形成为具有大于基板的处理面大小的相对面而加热基板;及灯部,具备彼此相邻地布置于加热器部的相对面的多个灯单元。本发明的效果在于,使加热器部的相对面形成为大于基板的处理面大小,使多个灯单元彼此相邻地布置于相对面,均匀地维持基板的处理面上的加热温度,能够防止对基板处理面的不均匀的处理,能够提高基板的处理效率。
- CMP研磨液和研磨方法-201080022988.1
- 金丸真美子;岛田友和;筱田隆 - 日立化成工业株式会社
- 2010-08-16 - 2012-05-09 - H01L21/32
- 本发明涉及一种CMP研磨液,所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子,其中,(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下,(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25~55nm,(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此,可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层间绝缘膜的CMP研磨液,以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。
- 制造半导体器件的方法和掩模-201010279145.1
- 别宫史浩 - 瑞萨电子株式会社
- 2010-09-08 - 2011-04-20 - H01L21/32
- 本发明提供一种制造半导体器件的方法和掩模。在保护绝缘膜上形成感光性树脂膜。接着,通过对所述感光性树脂膜进行曝光和显影,沿着第一直线、在所述保护绝缘膜上形成多个凸块核心。接着,通过在多个凸块核心、多个电极焊盘和保护绝缘膜上选择性地形成导电膜,来形成多个凸块和多个互连,所述多个互连将所述多个凸块中的每个连接到所述电极焊盘中的任一个。在形成多个凸块核心的步骤中,通过使用多等级掩模只一次性将感光性树脂曝光,在凸块核心的侧面上的与互连接壤的区域被形成为具有比与所述第一直线相交的区域的坡度更缓的坡度。
- 图案形成方法、半导体装置的制造方法以及制造装置-200910006955.7
- 八重樫英民;志村悟 - 东京毅力科创株式会社
- 2009-02-13 - 2009-08-19 - H01L21/32
- 本发明提供一种图案形成方法、半导体装置的制造方法以及制造装置,不需要第2次曝光工序,就能高精度地形成微细的图案,与现有技术相比简化了工序和降低了半导体装置的制造成本。该图案形成方法用于形成成为蚀刻掩膜的图案,包括:形成由光致抗蚀剂构成的第1图案(105)的工序;在第1图案(105)的侧壁部以及顶部形成边界层(106)的工序;覆盖边界层(106)的表面地形成第2掩膜材料层(107)的工序;为了使边界层(106)的顶部露出而除去第2掩膜材料层(107)的一部分的工序;蚀刻边界层(106)并将边界层(106)除去,形成由第2掩膜材料层(107)构成的第2图案的工序;减小第1图案和第2图案的宽度而形成规定宽度的修整工序。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造