[发明专利]极紫外线覆盖层及其的制造与光刻方法有效
| 申请号： | 201580036643.4 | 申请日： | 2015-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN106663601B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 卡拉·比斯利;拉尔夫·霍夫曼;马耶德·A·福阿德;鲁迪·贝克斯特罗姆三世 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造极紫外线反射构件的方法，其包括：提供基板；在所述基板上形成多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，这些反射层对具有第一反射层与第二反射层以形成布拉格反射器；以及在所述多层堆叠上形成覆盖所述多层堆叠的覆盖层，所述覆盖层由氧化钛、氧化钌、氧化铌、钌钨、钌钼或者钌铌形成，并且所述覆盖层通过减少氧化与机械侵蚀来保护所述多层堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线 覆盖层 及其 制造 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造极紫外线反射构件的方法，包含以下步骤：/n提供基板；/n在所述基板上形成多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，所述多个反射层对具有第一反射层与第二反射层以形成布拉格反射器；以及/n在所述多层堆叠上形成覆盖所述多层堆叠的覆盖层，所述覆盖层由钌钨形成，并且所述覆盖层通过减少氧化与机械侵蚀来保护所述多层堆叠。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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