[发明专利]极紫外线覆盖层及其的制造与光刻方法有效
申请号: | 201580036643.4 | 申请日: | 2015-07-03 |
公开(公告)号: | CN106663601B | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 卡拉·比斯利;拉尔夫·霍夫曼;马耶德·A·福阿德;鲁迪·贝克斯特罗姆三世 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 紫外线 覆盖层 及其 制造 光刻 方法 | ||
1.一种制造极紫外线反射构件的方法,包含以下步骤:
提供基板;
在所述基板上形成多层堆叠,所述多层堆叠包括多个反射层对,所述多个反射层对具有第一反射层与第二反射层以形成布拉格反射器;以及
在所述多层堆叠上形成覆盖所述多层堆叠的覆盖层,所述覆盖层由钌钨形成,并且所述覆盖层通过减少氧化与机械侵蚀来保护所述多层堆叠。
2.如权利要求1所述的方法,其中形成所述多层堆叠的步骤包括:形成具有所述第一反射层的所述多层堆叠和形成所述第二反射层,所述第一反射层由4.1纳米厚的硅形成,所述第二反射层由2.8纳米厚的钼形成。
3.如权利要求1所述的方法,其中形成所述覆盖层的步骤包括:使用物理气相沉积形成所述覆盖层,以及形成厚度在20埃与50埃之间的所述覆盖层,并且所述覆盖层对极紫外线光是透明的。
4.如权利要求1所述的方法,其中形成所述覆盖层的步骤包括:形成具有5.5或更大的莫氏硬度的所述覆盖层。
5.如权利要求1所述的方法,其进一步包括以下步骤:在所述覆盖层上形成吸收层并覆盖所述覆盖层,所述吸收层由铬、钽、氮化物、镍或上述物质的组合形成。
6.如权利要求1所述的方法,其中形成所述覆盖层的步骤包括:形成具有小于0.2纳米均方根(RMS)的表面粗糙度的所述覆盖层。
7.一种极紫外线反射构件,包含:
基板;
多层堆叠,所述多层堆叠在所述基板上,所述多层堆叠包括多个反射层对,所述多个反射层对具有第一反射层与第二反射层;以及
覆盖层,所述覆盖层在所述多层堆叠上并覆盖所述多层堆叠,所述覆盖层由钌钨形成,并且所述覆盖层通过减少氧化与机械侵蚀来保护所述多层堆叠。
8.如权利要求7所述的极紫外线反射构件,其中所述多层堆叠包括由4.1纳米厚的硅形成的所述第一反射层和由2.8纳米厚的钼形成的所述第二反射层。
9.如权利要求7所述的极紫外线反射构件,其中所述覆盖层具有通过物理气相沉积形成的特性,所述覆盖层具有20埃与50埃之间的厚度,并且所述覆盖层对极紫外线光是透明的。
10.如权利要求7所述的极紫外线反射构件,其中所述覆盖层具有5.5或更大的莫氏硬度。
11.如权利要求7所述的极紫外线反射构件,其进一步包括:吸收层,所述吸收层在所述覆盖层上并覆盖所述覆盖层,所述吸收层由铬、钽、氮化物、镍或上述物质的组合形成。
12.如权利要求7所述的极紫外线反射构件,其中所述覆盖层具有小于0.2纳米均方根(RMS)的表面粗糙度。
13.一种极紫外线反射构件生产系统,包含:
第一沉积系统,所述第一沉积系统用于在基板上沉积多层堆叠,所述多层堆叠包括多个反射层对,所述反射层对具有第一反射层与第二反射层;以及
第二沉积系统,所述第二沉积系统用于在所述多层堆叠上形成覆盖层,所述覆盖层由钌钨形成。
14.如请求项13所述的极紫外线反射构件生产系统,其中所述第一沉积系统用于形成由4.1纳米厚的硅形成的所述第一反射层和由2.8纳米厚的钼形成的所述第二反射层。
15.如权利要求13所述的极紫外线反射构件生产系统,其中所述第二沉积系统用于使用物理气相沉积形成所述覆盖层,所述覆盖层具有20埃与50埃之间的厚度,并且所述覆盖层对极紫外线光是透明的。
16.如权利要求13所述的极紫外线反射构件生产系统,其中所述第二沉积系统用于形成具有5.5或更大的莫氏硬度的所述覆盖层。
17.如权利要求13所述的极紫外线反射构件生产系统,其中所述第二沉积系统用于形成具有小于0.2纳米均方根(RMS)的表面粗糙度的所述覆盖层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580036643.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造