[发明专利]极紫外线覆盖层及其的制造与光刻方法

说明书

一种制造极紫外线反射构件的方法，其包括：提供基板；在所述基板上形成多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，这些反射层对具有第一反射层与第二反射层以形成布拉格反射器；以及在所述多层堆叠上形成覆盖所述多层堆叠的覆盖层，所述覆盖层由氧化钛、氧化钌、氧化铌、钌钨、钌钼或者钌铌形成，并且所述覆盖层通过减少氧化与机械侵蚀来保护所述多层堆叠。

技术领域

本发明一般涉及极紫外线光刻，具体而言，涉及用于极紫外线光刻的极紫外线反射构件的覆盖层、制造系统和光刻系统。

背景技术

现代消费和工业电子系统变得越来越复杂。电子器件需要在更小和更柔性的封装中的更高密度的电子元件。随着元件密度增加，需要技术进步来满足对具有更小特征结构尺寸的更高密度器件的需求。极紫外线(extreme ultraviolet；EUV)光刻，也称为软X射线投射光刻(soft x‐ray projection lithography)，是一种用于0.13微米和更小的、最小的特征结构尺寸的半导体器件的制造的光刻工艺。

极紫外线光一般可在5至50纳米的波长范围内，极紫外线光被大部分材料强烈地吸收。由于此原因，极紫外线系统通过光反射而非光透射来工作。极紫外线辐射可经由一系列反射元件而被投射并且被引导至半导体晶片上以形成高密度、小型特征结构尺寸的半导体器件，这些反射元件包括反射镜组件和涂覆有非反射掩膜图案的掩膜底版。

极紫外线光刻系统的反射元件可包括多层反射材料涂层。由于极紫外线光的高功率水平，剩余的未反射极紫外线光会引起可使反射元件的反射率随着时间推移劣化并且可导致反射元件的有限寿命的热加热。

鉴于对电子元件的日益变小的特征结构尺寸的需求，找到这些问题的答案愈加关键。鉴于随着不断增长的消费者期望而一直增加的商业竞争压力，找到这些问题的答案是关键的。另外，对降低成本、提高效率和性能，以及应对竞争压力的需要增加了找到这些问题的答案的关键必要性的更大的急迫性。

这些问题的解决方案已经历了长期探索，但是先前发展并未指导或建议任何解决方案，因此，这些问题的解决方案长期以来已成为熟悉本领域技术人员的难题。

发明内容

本发明提供一种制造极紫外线反射构件的方法，所述方法包括：提供基板；在所述基板上形成多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，这些反射层对具有第一反射层和第二反射层以用于形成布拉格反射器(Bragg reflector)；以及在所述多层堆叠上形成覆盖所述多层堆叠的覆盖层，所述覆盖层由氧化钛、氧化钌、氧化铌、钌钨、钌钼或者钌铌形成，并且所述覆盖层用于通过减少氧化与机械侵蚀来保护所述多层堆叠。

本发明提供一种极紫外线反射构件，所述极紫外线反射构件包括：基板；多层堆叠，所述多层堆叠在所述基板上，包括多个反射层对，这些反射层对具有第一反射层和第二反射层；以及覆盖层，所述覆盖层在所述多层堆叠上并覆盖所述多层堆叠，所述覆盖层由氧化钛、氧化钌、氧化铌、钌钨、钌钼或者钌铌形成，并且所述覆盖层用于通过减少氧化与机械侵蚀来保护多层堆叠。

本发明提供一种极紫外线反射构件生产系统，所述极紫外线反射构件生产系统包括：第一沉积系统，用于在基板上沉积多层堆叠，所述多层堆叠包括多个反射层对，这些反射层对具有第一反射层和第二反射层；以及第二沉积系统，用于在所述多层堆叠上形成覆盖层，所述覆盖层由氧化钛、氧化钌、氧化铌、钌钨、钌钼或者钌铌形成。

本发明的某些实施方式具有上述内容之外的，或代替上述内容的其它步骤或构件。当参照附图时阅读以下详细描述，这些步骤或者构件对熟悉本领域的技术人员而言将变得显而易见。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式中的极紫外线光刻系统的示意图。

图2是极紫外线反射构件生产系统的示例。

图3是极紫外线反射构件的示例。