[发明专利]具有合成反铁磁存储层的自引用多位MRAM单元有效
| 申请号： | 201580032385.2 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN106463169B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | Q.斯泰纳 | 申请（专利权）人： | 克罗科斯科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙鹏;刘春元 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本公开涉及多位MRAM单元，该多位MRAM单元包括磁隧道结，该磁隧道结包括具有自由地可定向传感磁化的传感层；隧道势垒层、具有第一和第二存储层的合成反铁磁体存储层；其中，所述传感磁化感生具有在存储层的自旋翻转场以上的量值的偶极场；MRAM单元还包括用于在多个不同定向上对准传感磁化，以便在MRAM单元中对多个不同逻辑状态进行编码的对准装置。本公开还涉及一种用于操作多位MRAM单元的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 合成 反铁磁 存储 引用 mram 单元 | ||
【主权项】：
1.多位MRAM单元，其包括磁隧道结，该磁隧道结包括具有自由地可定向传感磁化的传感层；在传感层与存储层之间的隧道势垒层；存储层包括具有第一存储磁化的第一存储层、具有第二存储磁化的第二存储层及第一和第二存储层之间的存储耦合层；第一存储磁化在磁隧道结的低阈值温度下被反铁磁存储层钉住，并且在磁隧道结的高阈值温度下被脱开；传感磁化被布置成当磁隧道结处于高阈值温度以便第一和第二存储磁化中的每一个以与偶极场的方向成自旋翻转角θSF定向时感生能够对准第二存储磁化的具有在存储层的自旋翻转场以上的量值的偶极场；MRAM单元还包括用于在0°至360°范围中的多个不同定向上对准传感磁化的对准装置，其中，所述第一和第二存储磁化在所述对准期间移动以保持其与偶极场的方向成自旋翻转角θSF的定向，使得当磁隧道结处于高阈值温度时，第一和第二存储磁化可以根据传感磁化的方向在偶极场中的所述多个不同定向上对准。
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