[发明专利]光电子半导体组件有效
| 申请号： | 201580030978.5 | 申请日： | 2015-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN106537619B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡·朗格;韦拉·施特佩尔坎普;弗兰克·耶尔曼;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫;拉尔夫·维尔特 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;李建航 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在至少一个实施方式中，光电子半导体组件(1)包括：光电子半导体芯片(2)，其用于产生初级辐射。用于将初级辐射部分地或全部地转换为更长波长的次级辐射的至少一种发光材料(3)设置在半导体芯片(2)的下游，所述次级辐射位于可见的光谱范围中。此外，光电子半导体组件(1)具有：滤波材料(4)，其用于部分地吸收次级辐射。在此，发光材料(3)和滤波材料(4)紧密地与半导体芯片(2)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 组件 | ||
【主权项】：
1.一种光电子半导体组件(1)，其具有：‑至少一个光电子半导体芯片(2)，用于产生在近紫外的光谱范围或可见的光谱范围中的初级辐射，‑至少一种发光材料(3)，用于将所述初级辐射部分地或全部地转换为更长波长的次级辐射，所述次级辐射位于可见的光谱范围中，和‑至少一种滤波材料(4)，用于部分地吸收所述次级辐射，其中‑所述发光材料(3)和所述滤波材料(4)紧密地与所述半导体芯片(2)连接，‑所述滤波材料(4)对于所述初级辐射是辐射可穿透的，‑所述滤波材料(4)在光谱方面窄带地在具有光谱的半高宽最大为20nm的、至少530nm的波长范围中吸收，‑所述发光材料(3)和所述滤波材料(4)在统计学上以彼此混匀的方式存在，使得在所述发光材料(3)和所述滤波材料(4)之间不存在相分离并且所述发光材料(3)和所述滤波材料(4)分别以均匀分布的方式存在，和‑通过所述滤波材料(4)提高由所述半导体组件(1)发射的混合辐射的显色指数和色彩对比指数，所述混合辐射由所述初级辐射和所述次级辐射构成。
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