[发明专利]具有应力去耦结构的MEMS构件和具有这种MEMS构件的元器件有效
| 申请号： | 201580029425.8 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN106458570B | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | J·克拉森;J·赖因穆特;M·哈塔斯;R·赖兴巴赫;A·皮格勒尼耶 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提出措施，该措施以简单的方式并且可靠地促进MEMS功能元件与MEMS构件结构机械去耦。所述MEMS构件(110)包括至少一个可偏转的功能元件(14)，该功能元件以层结构(12)在MEMS衬底(11)上实现，由此在层结构(12)与MEMS衬底(11)之间至少在功能元件(14)区域中产生中间空间(15)。根据本发明，在MEMS衬底(11)中以盲孔式的沟道结构(171)的形式构造应力去耦结构(17)，该沟道结构向着层结构(12)与MEMS衬底(11)之间的中间空间(15)敞开并且向MEMS衬底(11)中只延伸到预给定深度，使得MEMS衬底(11)至少在沟道结构(171)区域中在背面封闭。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 结构 mems 构件 这种 元器件 | ||
【主权项】：
1.MEMS构件(110)，具有至少一个可偏转的功能元件(14)，该功能元件以层结构(12)在MEMS衬底(11)上实现，使得在所述层结构(12)与所述MEMS衬底(11)之间至少在所述功能元件(14)区域中产生中间空间(15)，所述MEMS构件还具有应力去耦结构(17)，该应力去耦结构在所述MEMS衬底(11)中构造，其特征在于，所述应力去耦结构(17)以盲孔式的沟道结构的形式在所述MEMS衬底(11)中实现，该沟道结构向着所述层结构(12)与所述MEMS衬底(11)之间的中间空间(15)敞开并且向MEMS衬底(11)中只延伸到预给定深度，使得所述MEMS衬底(11)至少在沟道结构区域中在背面封闭，其中，所述沟道结构包括多个至少区段地基本平行地延伸的沟道，该沟道通过所述MEMS衬底(11)中的隔片相互分开。
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