[发明专利]用于改良互连性能的保护通孔盖有效
| 申请号： | 201580029003.0 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN106415829B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | M·奈克;P·F·马;S·D·耐马尼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 形成半导体结构的示例性方法可包括蚀刻通孔以贯穿半导体结构而暴露出第一电路层互连金属。该方法可包括形成覆盖暴露的第一电路层互连金属的材料层。该方法还包括在通孔内形成阻障层且沿着该通孔的底部具有最少覆盖物。该方法附加地包括形成覆盖该材料层的第二电路层互连金属。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改良 互连 性能 保护 通孔盖 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤：/n蚀刻通孔以贯穿半导体结构，其中所述蚀刻步骤暴露出第一金属；/n形成覆盖暴露的第一金属的材料层；/n在蚀刻的通孔内形成阻障层，其中沿所述通孔的侧壁将所述阻障层沉积达第一厚度，且在所述材料层上将所述阻障层沉积达第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；以及/n形成覆盖所述材料层的第二金属。/n
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