[发明专利]具有高密度存储电容器的晶体管的制造

摘要

本发明提供用于在衬底上制造TFT和存储电容器的设备和方法。在一个方面中，设备包含TFT和存储电容器，其中所述TFT包含第一金属层、第二金属层和半导体层，其中所述半导体层受第一蚀刻终止层和第二蚀刻终止层保护。所述存储电容器包含作为在所述第一金属层与所述第二金属层之间的电介质的所述第二蚀刻终止层。在另一方面中，设备包含TFT和存储电容器，其中所述TFT包含第一金属层、电介质层和半导体层，其中所述半导体层受蚀刻终止层保护。所述存储电容器包含作为在所述第一金属层与所述半导体层之间的电介质的所述电介质层。

主权项

一种设备，其包括：衬底，其具有第一区和邻近于所述第一区的第二区；薄膜晶体管TFT，其在所述衬底的所述第一区上，所述TFT包含：第一金属层，其在所述衬底上，半导体层，其在所述第一金属层上方，所述半导体层具有在源极区与漏极区之间的沟道区，第一蚀刻终止层，其在所述半导体层上，第二蚀刻终止层，其在所述第一蚀刻终止层上，和第二金属层，其接触所述半导体层的所述源极区和所述漏极区；和存储电容器，其在所述衬底的所述第二区上，所述存储电容器包含：所述第一金属层，其在所述衬底上，所述第二蚀刻终止层，其在所述衬底的所述第二区上方的所述第一金属层上，和所述第二金属层，其在所述衬底的所述第二区上方的所述第二蚀刻终止层上。