[发明专利]上层膜形成用组合物以及使用了其的抗蚀图案形成方法有效
申请号: | 201580025513.0 | 申请日: | 2015-05-19 |
公开(公告)号: | CN106462073B | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 铃木理人;王晓伟;冈安哲雄;滨祐介;G·帕夫洛夫斯基 | 申请(专利权)人: | AZ电子材料(卢森堡)有限公司 |
主分类号: | G03F7/11 | 分类号: | G03F7/11;H01L21/027 |
代理公司: | 11216 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 刘淼<国际申请>=PCT/JP2015/ |
地址: | 卢森堡(L-1*** | 国省代码: | 卢森堡;LU |
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摘要: | 本发明提供一种上层膜形成用组合物与使用了其的图案形成方法,所述上层膜形成用组合物在基于极紫外线曝光的图案形成方法中,可形成粗糙度和/或图案形状优异的图案。一种上层膜形成用组合物、以及将该组合物涂布于抗蚀层表面,通过曝光显影从而形成图案的方法,所述上层膜形成用组合物的特征在于,包含具有芳香族性羟基的芳香族化合物以及水性溶剂。该组合物也可进一步包含粘合剂。 | ||
搜索关键词: | 上层 形成 组合 以及 使用 图案 方法 | ||
【主权项】:
1.一种上层膜形成用组合物,其特征在于,其是用于形成在抗蚀膜之上形成的上层膜的上层膜形成用组合物,包含具有芳香族性羟基的分子量为180~800的芳香族化合物以及水性溶剂,/n其中,所述芳香族化合物由下述通式(1)表示:/n /n式中,R以及R’各自独立地可以是氢、羟基、碳原子数1~10的、非取代的或者取代了的烃基、非芳香族性亲水性基团、或者碳原子数6~15的、非取代的或者取代了的深紫外线吸收基,R以及R’之中的任两个也可介由烃链而结合从而形成环状结构,所述环状结构也可具有进一步其它的取代基,其中,R中的1个以上是羟基,所述烃链在主链中也可包含杂原子,/n其中,所述非芳香族性亲水性基团是没有直接结合于芳香环的亲水性基团,/n以所述水性溶剂的总质量为基准,所述水性溶剂的水含量为70质量%以上。/n
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