[发明专利]具有高级金属图案化的高密度静态随机存取存储器阵列

摘要

提供了涉及具有高级金属图案化的高密度静态随机存取存储器(SRAM)阵列的方法和装备。在一示例中，提供了一种用于制造SRAM的方法。该方法包括使用自对准双图案化(SADP)技术来在第一层中形成取向在第一方向上的多个基本上平行的第一金属线。该方法还包括使用切割掩模来在基本上垂直于第一方向的第二方向上蚀刻基本上平行的第一金属线，以将基本上平行的第一金属线分成具有在第一方向上对准的第一相应侧面和在第二方向上对准的第二相应侧面的多个岛。该方法还包括在第二层中形成取向在第一方向上的多个第二金属线。

主权项

1.一种用于制造静态随机存取存储器的方法，包括：/n使用自对准双图案化技术来在第一层中形成取向在第一方向上的多个基本上平行的第一金属线；/n使用切割掩模来在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上蚀刻所述基本上平行的第一金属线，以将所述基本上平行的第一金属线分成具有在所述第一方向上基本上对准的第一相应侧面和在所述第二方向上基本上对准的第二相应侧面的多个岛，其中所述多个岛中的至少一个岛被配置成位线；/n在第二层中形成取向在所述第一方向上的多个第二金属线；以及/n形成包括耦合至所述多个第二金属线中的第二金属线的栅极和耦合至所述多个岛中的岛的漏极的硅锗p型金属氧化物硅传输门晶体管。/n