[发明专利]具有堆叠的导电沟道的三维存储器装置有效
| 申请号： | 201580016500.7 | 申请日： | 2015-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN106256005B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | M.A.德阿布雷乌 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;H01L27/115;H01L27/11521;H01L27/11507 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邱军<国际申请>=PCT/US2015/ |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种方法包含：形成连接到第一导电沟道的第一组存储器单元。第一导电沟道实质上垂直于基板的表面。方法还包含形成连接到第二导电沟道的第二组存储器单元。第二导电沟道电连接到第一导电沟道，并且实质上垂直于基板的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 导电 沟道 三维 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种形成非易失性存储器的方法，包括：/n形成具有三维(3D)存储器配置的非易失性存储器，其中形成所述非易失性存储器包含：/n形成连接到第一导电沟道的第一组存储器单元，所述第一导电沟道实质上垂直于基板的表面；/n在穿过所述非易失性存储器的蚀刻终止层的孔内形成连接体的第一部分；以及/n形成第二组存储器单元，所述第二组存储器单元连接到第二导电沟道，其中所述第二导电沟道经由连接体电连接到所述第一导电沟道，并且实质上垂直于所述基板的表面，其中所述蚀刻终止层设置在所述第一组存储器单元与所述第二组存储器单元之间，并且其中所述连接体的第二部分沿所述蚀刻终止层的表面延伸，所述蚀刻终止层的表面接近于所述第一组存储器单元或所述第二组存储器单元。/n
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