[发明专利]功率用半导体装置有效
| 申请号： | 201580013957.2 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN106104779B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 藤野纯司;石原三纪夫;新饲雅芳;原田启行 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/28;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 具备：陶瓷基板(2)；功率用半导体元件(3)，在一面形成电极(例如3a、3e)，另一面与陶瓷基板(2)接合；引线端子(62)，一端侧与电极接合，另一端侧与外部电连接；以及密封体(7)，对引线端子(62)的与电极接合的部分以及功率用半导体元件(3)进行密封。在引线端子(62)的一端侧的端部(62e)处，形成随着接近端部(62e)而远离陶瓷基板(2)的倾斜面(62t)。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种功率用半导体装置，其特征在于，具备：电路基板；功率用半导体元件，在一面形成电极，另一面与所述电路基板接合；引线端子，一端侧与所述电极接合，另一端侧与外部电连接；以及密封体，对所述引线端子的与所述电极接合的部分以及所述功率用半导体元件进行密封，在所述引线端子的所述一端侧的端部，形成随着接近所述端部而远离所述电路基板的倾斜面，所述引线端子随着接近所述端部而壁厚变薄，以形成所述倾斜面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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