[发明专利]用于制造半导体层序列的方法和光电子半导体器件有效
| 申请号： | 201580010404.1 | 申请日： | 2015-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN106030831B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | J.赫特科恩;W.贝格鲍尔;P.德雷克泽尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;张涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 说明用于制造半导体层序列的方法，所述方法具有以下步骤：‑提供具有在生长侧（50a）处的生长面（51）的生长衬底（50），‑在生长侧处生长第一氮化半导体层（10），‑第二氮化半导体层（20）生长到第一氮化半导体层（10）上，其中第二氮化半导体层（20）具有至少一个开口（21），或者在第二氮化半导体层（20）中产生至少一个开口（21），或者在生长期间在第二氮化半导体层（20）中形成至少一个开口（21），‑通过第二氮化半导体层（20）中的开口（21）将第一氮化半导体层（10）的至少一部分移除，‑第三氮化半导体层（30）生长到第二氮化半导体层（20）上，其中所述第三氮化半导体层（30）至少部分地覆盖开口（21）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 序列 方法 光电子 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.用于制造半导体层序列的方法，具有以下步骤：‑提供具有在生长侧（50a）处的生长面（51）的生长衬底（50），‑第一氮化半导体层（10）在生长侧处生长，‑第二氮化半导体层（20）生长到第一氮化半导体层（10）上，其中第二氮化半导体层（20）具有至少一个开口（21），或者在第二氮化半导体层（20）中产生至少一个开口（21），或者在生长期间在第二氮化半导体层（20）中形成至少一个开口（21），‑通过第二氮化半导体层（20）中的开口（21）将第一氮化半导体层（10）的至少一部分移除，‑第三氮化半导体层（30）生长到第二氮化半导体层（20）上，其中第三氮化半导体层（30）至少部分地覆盖所述开口（21）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580010404.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
