[发明专利]半导体发光元件在审
| 申请号： | 201580007808.5 | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN105981185A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 全水根 | 申请（专利权）人： | 世迈克琉明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;金玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层；反射膜，其用于在生长衬底的相反侧反射从有源层生成的光；以及第一电极及第二电极，它们用于向多个半导体层供给电子及空穴，该第一电极及第二电极中的至少一个具备焊层(soldering layer)，该焊层作为最上层，不含金(Au)而含锡(Sn)，并且经过热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其特征在于，其包括：多个半导体层，它们利用生长衬底而生长，该多个半导体层包括：第一半导体层，其具备第一导电性；第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性；及有源层，其介于第一半导体层与第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；反射膜，其在生长衬底的相反侧反射从有源层生成的光；以及第一电极及第二电极，它们分别向多个半导体层供给电子及空穴，该第一电极及第二电极中的至少一个具备焊层(soldering layer)，该焊层作为最上层，实质上不含金(Au)而含锡(Sn)，并且经过热处理。
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