[发明专利]针对由石墨构成的PECVD舟皿的保护层有效
申请号: | 201580007438.5 | 申请日: | 2015-02-04 |
公开(公告)号: | CN106460172B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 托尔斯滕·科恩迈尔 | 申请(专利权)人: | KGT石墨科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L21/673;H01L21/677 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 杨靖;车文 |
地址: | 德国温*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种针对由石墨构成的PECVD舟皿的经改进的保护层,PECVD舟皿尤其是在光伏工业中用于容纳晶圆以及用于在PECVD涂覆设备中传输晶圆或将晶圆传输穿过PECVD涂覆设备。通过本发明应提供如下针对PECVD舟皿的保护层,利用该保护层能够实现在硅基底上制备出更好且更均质的抗反射层。这通过如下方式来实现,即,由石墨构成的PECVD舟皿带有能导电的硬质材料涂覆部,该能导电的硬质材料涂覆部由氮化钛和/或由碳化钛和/或由碳化硼(B4C)构成。 | ||
搜索关键词: | 针对 石墨 构成 pecvd 舟皿 保护层 | ||
【主权项】:
1.一种针对由石墨构成的PECVD舟皿的保护层,所述由石墨构成的PECVD舟皿用于容纳晶圆以及用于在PECVD涂覆设备中传输所述晶圆或将所述晶圆传输穿过PECVD涂覆设备,其特征在于,所述由石墨构成的PECVD舟皿配设有能导电的硬质材料涂覆部,所述能导电的硬质材料涂覆部至少包含碳化硼(B4C)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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