[发明专利]利用短距离往复运动的材料的空间沉积有效
| 申请号: | 201580007281.6 | 申请日: | 2015-01-23 |
| 公开(公告)号: | CN106103794B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
| 发明(设计)人: | 尹贞雅;车硕烈;白承烨;丹尼尔·胡·利;朴山穆尔;孝锡·丹尼尔·杨;李相忍 | 申请(专利权)人: | 威科ALD有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 董敏,王艳江 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 各实施方式涉及通过使基板进行短距离往复运动而执行材料在基板上的沉积。用于将材料注入到基板上的一系列反应器以重复的方式沿着基板的长度设置。在每次往复运动期间,基座移动的距离比基板的总长度短。基板的部分通过反应器的子组注入材料。由于基板的运动较小,因此包括基座的线性沉积装置可以制造得较小。 | ||
| 搜索关键词: | 利用 短距离 往复 运动 材料 空间 沉积 | ||
【主权项】:
一种将层沉积在基板上的方法,包括:(a)在通过反应器注入气体期间,使基板与所述反应器之间沿第一方向相对运动第一距离,所述第一距离比所述基板的长度短;(b)在通过所述反应器注入所述气体期间,使所述基板与所述反应器之间沿与所述第一方向相反的第二方向相对运动第二距离,所述第二距离比所述第一距离短;(c)将(a)和(b)重复第一预定次数;(d)在通过所述反应器注入所述气体期间,使所述基板与所述反应器之间沿所述第一方向相对运动第三距离,所述第三距离比所述基板的长度短;(e)在通过所述反应器注入所述气体期间,使所述基板与所述反应器之间沿所述第二方向相对运动第四距离,所述第四距离比所述第三距离长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威科ALD有限公司,未经威科ALD有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580007281.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





