[发明专利]利用短距离往复运动的材料的空间沉积

权利要求书

1.一种将层沉积在基板上的方法，包括：

(a)在通过反应器注入气体期间，使基板与所述反应器之间沿第一方向相对运动第一距离，所述第一距离比所述基板的长度短；

(b)在通过所述反应器注入所述气体期间，使所述基板与所述反应器之间沿与所述第一方向相反的第二方向相对运动第二距离，所述第二距离比所述第一距离短；

(c)将(a)和(b)重复第一预定次数；

(d)在通过所述反应器注入所述气体期间，使所述基板与所述反应器之间沿所述第一方向相对运动第三距离，所述第三距离比所述基板的长度短；

(e)在通过所述反应器注入所述气体期间，使所述基板与所述反应器之间沿所述第二方向相对运动第四距离，所述第四距离比所述第三距离长。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括(f)：将(d)和(e)重复第二预定次数。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一距离和所述第四距离相同，并且所述第二距离和所述第三距离相同。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一距离与所述第二距离之间的差和所述第四距离与所述第三距离之间的差相同。

5.根据权利要求2所述的方法，还包括将(a)到(f)重复第三预定次数。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，代表所述第一距离与所述第二距离之间的差的偏移量比所述反应器的宽度小。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

通过所述反应器的第一子组将源前驱体注入到所述基板上；

通过所述反应器的第二子组将反应物前驱体注入到所述基板上；以及

通过所述反应器的第三子组将清洁气体注入到所述基板上。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，通过空间原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)将材料层沉积在所述基板上。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，将不同材料层或层压体沉积在所述基板上。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括：

(f)使所述基板与所述反应器之间沿所述第一方向相对运动第五距离，所述第五距离与所述第三距离不同；

(g)使所述基板与所述反应器之间沿所述第二方向相对运动第六距离，所述第六距离比所述第五距离长；

(h)将(f)和(g)重复第二预定次数。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述基板的在(a)使所述基板与所述反应器之间沿所述第一方向相对运动所述第一距离之后且在(b)使所述基板与所述反应器之间沿所述第二方向相对运动所述第二距离之前的位置与所述基板的在(f)使所述基板与所述反应器之间沿所述第一方向相对运动所述第五距离之后且在(g)使所述基板与所述反应器之间沿所述第二方向相对运动所述第六距离之前的在所述相对运动之后的位置不一致。

12.根据权利要求1所述的方法，在所述基座的端部处配备有辊给送机构和卷绕机构，并且所述辊的给送速度或卷绕速度比基板与反应器之间的所述相对运动慢。

13.一种将材料沉积在基板上的方法，包括：

(a)在使基板与反应器之间沿第一方向相对运动第一距离的同时将前驱体材料注入到所述基板上，所述第一距离比所述基板的长度短；

(b)在使所述基板与所述反应器之间沿第二方向相对运动所述第一距离的同时将前驱体材料注入到所述基板上；

(c)在不将所述前驱体材料注入到所述基板的情况下，将所述基板的位置移位比所述第一距离短的第二距离；并且

(d)将步骤(a)至(c)重复预定次数。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第二距离对应于反应器的宽度。