[发明专利]具有加强偏移容差的反应器细丝组件有效
申请号: | 201580005918.8 | 申请日: | 2015-01-28 |
公开(公告)号: | CN105934534B | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | A·D·罗兹;K·H·巴伦杰 | 申请(专利权)人: | GTAT公司 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23C16/44 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 刘淼;严政 |
地址: | 美国新罕*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于CVD硅沉积反应器的管状细丝组件,其通过在管状细丝的顶部和/或底部与匹配于桥和/或支撑卡盘的成型部件之间形成的可滑动的连接,提供了竖直管状细丝连贯和低电阻的连接,使得该连接至少对竖直细丝和/或水平连桥的倾斜角度的小变化不敏感。所述成型部件可以并入桥和/或卡盘中或独立的且与桥和/或卡盘匹配。本发明描述了许多不同的实施方式。 | ||
搜索关键词: | 具有 加强 偏移 反应器 细丝 组件 | ||
【主权项】:
一种用于多晶硅的批量生产的CVD反应器,其包括:配置有第一细丝支撑卡盘和第二细丝支撑卡盘的基板;连着所述基板的外壳,以形成沉积室;和细丝组件,其包括:第一管状硅丝,所述第一管状硅丝为竖直定向的,且具有与所述第一细丝支撑卡盘电连接的底端;第二管状硅丝,所述第二管状硅丝为竖直定向的,且具有与所述第二细丝支撑卡盘电连接的底端;配置为与所述第一管状硅丝和第二管状硅丝的顶端电连接的水平连桥;和具有围绕成型部件中心轴的周面的成型部件,所述周面为倾斜的或弯曲的,以致当将所述周面设置于临近所述第一管状硅丝的顶端或底端时,在所述第一管状硅丝的顶端或底端周边形成可滑动的接触区域;当所述成型部件的中心轴和所述第一管状硅丝的中心轴之间的角度变化至最大倾斜角时,所述周面配置为维持至少50%所述接触区域。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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