[发明专利]在无氧化剂情况下的含硅和氧的膜的沉积有效
| 申请号： | 201580004037.4 | 申请日： | 2015-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN105899711B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | B·S·安德伍德;A·B·玛里克 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/513 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过以下步骤在不存在氧化剂的情况下沉积含硅和氧的膜，诸如二氧化硅膜：将硅氧烷前体引入等离子体处理腔室中并且例如通过将所述硅氧烷前体暴露于低能等离子体来离解所述硅氧烷前体的Si‑H键中的至少一些。可以在不氧化易氧化的表面的情况下，在所述易氧化的表面上形成所述含硅和氧的膜。所沉积的含硅和氧的膜可以用作二氧化硅块状层的初始层，使用常规二氧化硅沉积技术(诸如将所述硅氧烷前体暴露于含氧等离子体)在所述初始层的顶部上形成所述二氧化硅块状层。在所述块状层沉积之前或之后，所述初始层可被后处理或被固化以减小Si‑H键的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化剂 情况 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种用于沉积含硅和氧的膜的方法，所述方法包括以下步骤：/n将包含有一种或多种硅氧烷前体的工艺气体引入处理腔室，所述处理腔室具有设置在其中的基板，其中所述一种或多种硅氧烷前体选自由具有化学式Si
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
