[发明专利]晶片保持台及其制法有效
| 申请号： | 201580001957.0 | 申请日： | 2015-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN105580129B | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 矢纳拓弥;大场教磨;川尻哲也;鹤田英芳 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C04B37/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;金鲜英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供晶片保持台(10)，其在陶瓷制的静电卡盘(12)与金属制的冷却板(14)之间具备树脂制的粘接层(16)。粘接层(16)包含与静电卡盘(12)接触的第一层(16a)、与冷却板(14)接触的第二层(16b)、以及位于第一层(16a)和第二层(16b)之间的中间层(16c)。第一层(16a)和中间层(16c)的耐热性比第二层(16b)的耐热性高，第二层(16b)的柔软性比第一层(16a)和中间层(16c)的柔软性高，各层气密地接触。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 保持 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片保持台，是在陶瓷制的静电卡盘与金属制的冷却板之间具备树脂制的粘接层的晶片保持台，所述粘接层包含与所述静电卡盘接触的第一层、与所述冷却板接触的第二层、以及位于所述第一层和所述第二层之间的中间层，所述第一层和所述中间层的耐热性比所述第二层的耐热性高，所述第二层的柔软性比所述第一层和所述中间层的柔软性高，各层气密地接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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