[实用新型]一种具有两路低时序偏差BIU的ARINC 659总线控制电路有效
申请号: | 201521101385.7 | 申请日: | 2015-12-25 |
公开(公告)号: | CN205564744U | 公开(公告)日: | 2016-09-07 |
发明(设计)人: | 喻贤坤;袁超;王磊;姜爽;王莉;樊旭 | 申请(专利权)人: | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F13/40 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 杨春颖 |
地址: | 100076 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种具有两路低时序偏差BIU的ARINC 659总线控制电路,将两路ARINC 659接口单元、一个8051单片机,一路I2C、一路UART、一路SPI和一路CAN总线接口集成在同一总线控制电路上;在该电路的物理实现过程中,在管脚排布阶段将两路BIU的管脚进行对称排布,将其它功能模块的管脚按照功能类别和工作频率排布,在版图布局阶段将两路BIU的逻辑单元和存储单元进行对称布局,并将其它逻辑功能模块根据工作频率分别布局。本实用新型的总线控制电路大幅度提高了单一芯片的集成度,其管脚排布和版图布局方法有效解决了两路ARINC 659BIU的时序偏差问题,大幅度减少芯片内部的布线交叉,降低了不同工作频率模块之间的干扰,保证总线控制电路工作的稳定可靠。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 两路低 时序 偏差 biu arinc 659 总线 控制电路 | ||
【主权项】:
一种具有两路低时序偏差BIU的ARINC 659总线控制电路,其特征在于:包括内部集成总线I2C接口、通用异步收发传输器UART接口、串行外设接口SPI、控制器局域网CAN总线接口、通用输入输出GPIO接口、8051单片机、第一8位‑32位桥、第二8位‑32位桥、第三8位‑32位桥、第一数据RAM、第一指令RAM、第二数据RAM、第二指令RAM、第一总线接口单元BIU、第二总线接口单元BIU和MCU总线;内部集成总线I2C接口、通用异步收发传输器UART接口、串行外设接口SPI、控制器局域网CAN总线接口、通用输入输出GPIO接口、8051单片机、第一8位‑32位桥、第二8位‑32位桥、第三8位‑32位桥、第一数据RAM、第一指令RAM、第二数据RAM、第二指令RAM、第一总线接口单元BIU、第二总线接口单元BIU和MCU总线集成在同一片芯片上;将该芯片通过对称轴划分为相对称的两部分,第一部分上设置第一总线接口单元BIU、第一数据RAM、第一指令RAM、第一8位‑32位桥、内部集成总线I2C接口、通用异步收发传输器UART接口、串行外设接口SPI、控制器局域网CAN总线接口、通用输入输出GPIO接口;第二部分上放置第二BIU、第二数据RAM、第二指令RAM、第二8位‑32位桥、8051单片机;在对称轴上且跨越第一部分和第二部分放置第三8位‑32位桥、MCU总线;第一总线接口单元BIU、通用输入输出GPIO接口紧贴芯片的第一部分的边缘;内部集成总线I2C接口、通用异步收发传输器UART接口、串行外设接口SPI、控制器局域网CAN总线接口位于控制器局域网CAN总线接口和通用输入输出GPIO接口之间,且紧贴芯片的第一部分的边缘;第一数据RAM、第一指令RAM位于第一总线接口单元BIU和对称轴之间;第一8位‑32位桥位于第一数据RAM与MCU总线之间;第二总线接口单元BIU、8051单片机紧贴芯片的第二部分的边缘,第二数据RAM、第二指令RAM位于第二总线接口单元BIU与对阵轴之间;第二8位 ‑32位桥位于第二数据RAM与MCU总线之间;第一总线接口单元BIU和第一总线接口单元BIU相对于对阵轴对阵分布,且第一总线接口单元BIU的输出到其输出管脚的距离与第二总线接口单元BIU的输出到其输出管脚的距离相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的