[实用新型]一种延长热载流子效应下芯片工作寿命的系统有效
| 申请号： | 201521006354.3 | 申请日： | 2015-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN205123701U | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张智印;李奎利;李成 | 申请（专利权）人： | 杭州雄迈信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 周豪靖 |
| 地址： | 311422 浙江省杭州市富*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种延长热载流子效应下芯片工作寿命的系统，它包括所需集成电路工作电源、逻辑开关控制电路、所需集成电路和MOSFET器件，其特征在于：所述所需集成电路工作电源与MOSFET的漏极D相连、逻辑开关控制电路与MOSFET的栅极G相连、所需集成电路与MOSFET器件源极S连接，所需集成电路另一端接地VSS。可以将不常用的且运作时间短，工作电压高于工艺要求的所需集成电路集成到普通芯片电路上，提高集成度。不需要将不常用且工作电压高于工艺要求的所需集成电路单独制成芯片器件，达到节约成本的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 延长 载流子 效应 芯片 工作 寿命 系统 | ||
【主权项】：
一种延长热载流子效应下芯片工作寿命的系统，它包括所需集成电路工作电源、逻辑开关控制电路、所需集成电路和MOSFET器件，其特征在于：所述所需集成电路工作电源与MOSFET的漏极D相连、逻辑开关控制电路与MOSFET的栅极G相连、所需集成电路与MOSFET器件源极S连接，所需集成电路另一端接地VSS。
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