[实用新型]一种延长热载流子效应下芯片工作寿命的系统有效
| 申请号： | 201521006354.3 | 申请日： | 2015-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN205123701U | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张智印;李奎利;李成 | 申请（专利权）人： | 杭州雄迈信息技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 周豪靖 |
| 地址： | 311422 浙江省杭州市富*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 延长 载流子 效应 芯片 工作 寿命 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种延长热载流子效应下芯片工作寿命的系统，它包括所需集成电路工作电源、逻辑开关控制电路、所需集成电路和MOSFET器件，其特征在于：所述所需集成电路工作电源与MOSFET的漏极D相连、逻辑开关控制电路与MOSFET的栅极G相连、所需集成电路与MOSFET器件源极S连接，所需集成电路另一端接地VSS。
2.根据权利要求1所述的一种延长热载流子效应下芯片工作寿命的系统，其特征在于：所述逻辑开关控制电路、所需集成电路集成于系统芯片内部。
3.根据权利要求1所述的一种延长热载流子效应下芯片工作寿命的系统，其特征在于：所述的所需集成电路工作电压高于系统芯片的工作电压，所需集成电路每一次持续工作时间极短。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种延长热载流子效应下芯片工作寿命的系统，其特征在于：所述逻辑开关控制电路通过MOSFET器件控制所需集成电路工作电源输入通道闭合或断开，当需要所需集成电路进行工作时，通过逻辑开关控制电路向MOSFET器件栅极G加压，使MOSFET器件导通，从而让工作电压输入到所需集成电路中；当不需要所需集成电路工作时，则由逻辑开关控制电路控制MOSFET器件关闭，停止向所需集成电路供电。
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