[实用新型]一种生长氮化铝单晶用坩埚有效
| 申请号： | 201520941670.3 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN205223407U | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 刘京明;杨俊;刘彤;董志远;赵有文 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 101111 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种生长氮化铝单晶用坩埚，该坩埚包括坩埚盖、坩埚筒和导流环；其中，坩埚盖下表面设置有下凸台；导流环为上大下小的梯形圆环；下凸台下表面的边缘与导流环的上沿间隙配合；坩埚筒内表面设置有托起导流环的凸起，导流环的下沿与凸起间隙配合；下凸台和导流环的侧面均与坩埚筒的内表面间隙配合；坩埚盖、导流环和坩埚筒由上到下依次连接构成坩埚。本申请提供一种新型的坩埚结构，该坩埚更有利于在高温下，氮化铝单晶的形核和晶体的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 氮化 铝单晶用 坩埚 | ||
【主权项】：
一种生长氮化铝单晶用坩埚，其特征在于，所述坩埚包括坩埚盖、坩埚筒和导流环；其中，所述坩埚盖下表面设置有下凸台；所述导流环为上大下小的梯形圆环；所述下凸台下表面的边缘与所述导流环的上沿间隙配合；所述坩埚筒内表面设置有托起导流环的凸起，导流环的下沿与所述凸起间隙配合；所述下凸台和导流环的侧面均与所述坩埚筒的内表面间隙配合；所述坩埚盖、导流环和坩埚筒由上到下依次连接构成所述坩埚。
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